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NDSH25170A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 11:12:40 查看 閱讀�33

NDSH25170A 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,專為高效率功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于各種電源管理場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路和負(fù)載開�(guān)��
  該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持高頻開�(guān)操作,并且具備良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠��

參數(shù)

型號(hào):NDSH25170A
  類型:N 溝道 MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電壓(Vds):30 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):48 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6 mΩ
  總柵極電荷(Qg):29 nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

NDSH25170A 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使其在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率�
  此外,它還具備以下優(yōu)�(shì)�
  - 高電流承載能力,可支持高�(dá) 48 A 的連續(xù)漏極電流�
  - 較低的柵極電�,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作�
  - 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下可靠�(yùn)��
  - 小型化封裝設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  - �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的魯棒��
  這些特點(diǎn)使得 NDSH25170A 成為高效功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NDSH25170A 廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理和開關(guān)操作的場(chǎng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  - 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率控制模塊
  憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,NDSH25170A 在各類電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角��

替代型號(hào)

NDSH25160A
  NDSH25180A
  IRLZ44N

ndsh25170a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ndsh25170a參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�305�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �172.19000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)1700 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)25A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.75 V @ 25 A
  • 速度無恢�(fù)�(shí)� > 500mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)0 ns
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏40 μA @ 1700 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容2025pF @ 1V�100kHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-2
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-2
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 175°C