NDSH25170A 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,專為高效率功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于各種電源管理場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路和負(fù)載開�(guān)��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持高頻開�(guān)操作,并且具備良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠��
型號(hào):NDSH25170A
類型:N 溝道 MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds):30 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):48 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6 mΩ
總柵極電荷(Qg):29 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NDSH25170A 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使其在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率�
此外,它還具備以下優(yōu)�(shì)�
- 高電流承載能力,可支持高�(dá) 48 A 的連續(xù)漏極電流�
- 較低的柵極電�,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作�
- 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下可靠�(yùn)��
- 小型化封裝設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
- �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的魯棒��
這些特點(diǎn)使得 NDSH25170A 成為高效功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用的理想選擇�
NDSH25170A 廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理和開關(guān)操作的場(chǎng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)模式電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
- 通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
- 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率控制模塊
憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,NDSH25170A 在各類電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角��
NDSH25160A
NDSH25180A
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