�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 �(gè) P 溝道(雙�
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�140 毫歐 @ 2.8A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.8A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�8.5nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �405pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安裝�(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)