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NDS8958 發(fā)布時間 時間�2023/11/6 17:52:42 查看 閱讀�308

類別:分離式半導體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:N � P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�35 毫歐 @ 5.3A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5.3A, 4A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.8V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�30nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �720pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
其它名稱:NDS8958TR

nds8958推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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nds8958資料 更多>

  • 型號
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  • NDS8958
  • Dual N & P-Channel Enhancement Mode ...
  • FAIRCHILD
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  • Dual N & P-Channel Enhancement Mode ...
  • FAIRCHILD&nbs...
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nds8958參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A�4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 5.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds720pF @ 15V
  • 功率 - 最�900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDS8958TR