類別:分離式半導體產(chǎn)�
類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:N � P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�35 毫歐 @ 5.3A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5.3A, 4A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.8V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�30nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �720pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
其它名稱:NDS8958TR