NDF04N60ZG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高電壓和高頻開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款芯片主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、逆變器等場景,其�(yōu)異的電氣性能和可靠性使其成為工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的重要選擇�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.3A
�(dǎo)通電阻:1.4Ω
柵極電荷�28nC
總電容:950pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
NDF04N60ZG采用了超�(jié)技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更高的效�。同�,它具備以下特點(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻,減少功率損��
2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)��
3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的熱�(wěn)定性,適應(yīng)極端溫度�(huán)��
5. 小型封裝�(shè)計,節(jié)省PCB空間�
這些特性使得該器件非常適合用于需要高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場合�
NDF04N60ZG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變�
3. 電機(jī)�(qū)�
4. LED照明�(qū)�
5. 工業(yè)控制�(shè)�
6. 電信電源
由于其高電壓和高效率的特�(diǎn),該芯片在各類電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)中表�(xiàn)出色�
NDF04N60TG, IRFZ44N, FQP17N60