NDD04N50ZT4G是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件適用于高頻開關應用,如開關電�、DC-DC轉換器和電機驅動等場�。其設計旨在實現(xiàn)高效率和低損耗,具有較低的導通電阻和快速的開關速度�
此型號屬于N溝道增強型MOSFET,具備出色的雪崩擊穿能力和熱�(wěn)定�,適合在嚴苛的工作條件下使用�
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻:1.6Ω
柵極電荷�18nC
開關速度�30ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
NDD04N50ZT4G的主要特點是其高壓能力與低導通電阻之間的平衡。它能夠承受高達500V的漏源電�,同時提供較低的導通電阻以減少功率損��
該器件還具有較小的柵極電荷,這有助于提高開關速度并降低開關損�。此�,其出色的熱�(wěn)定性和雪崩擊穿能力使其能夠在極端環(huán)境下可靠運行�
由于采用了TO-247封裝,該器件具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應用場��
整體而言,NDD04N50ZT4G是一款專為高效能電力電子設備設計的MOSFET�
NDD04N50ZT4G廣泛應用于多種電力電子領�,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動控制
4. 工業(yè)自動化設�
5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器
6. 太陽能逆變�
這些應用都依賴于其高壓操作能�、低導通電阻和快速開關特性來實現(xiàn)高效的電力轉換和控制�
NDD04N50ZT3G
NDD04N50ZT2G
IRFP460