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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NDD04N50ZT4G

NDD04N50ZT4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 18:11:49 查看 閱讀�17

NDD04N50ZT4G是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件適用于高頻開關應用,如開關電�、DC-DC轉換器和電機驅動等場�。其設計旨在實現(xiàn)高效率和低損耗,具有較低的導通電阻和快速的開關速度�
  此型號屬于N溝道增強型MOSFET,具備出色的雪崩擊穿能力和熱�(wěn)定�,適合在嚴苛的工作條件下使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�4A
  導通電阻:1.6Ω
  柵極電荷�18nC
  開關速度�30ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

NDD04N50ZT4G的主要特點是其高壓能力與低導通電阻之間的平衡。它能夠承受高達500V的漏源電�,同時提供較低的導通電阻以減少功率損��
  該器件還具有較小的柵極電荷,這有助于提高開關速度并降低開關損�。此�,其出色的熱�(wěn)定性和雪崩擊穿能力使其能夠在極端環(huán)境下可靠運行�
  由于采用了TO-247封裝,該器件具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應用場��
  整體而言,NDD04N50ZT4G是一款專為高效能電力電子設備設計的MOSFET�

應用

NDD04N50ZT4G廣泛應用于多種電力電子領�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機驅動控制
  4. 工業(yè)自動化設�
  5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器
  6. 太陽能逆變�
  這些應用都依賴于其高壓操作能�、低導通電阻和快速開關特性來實現(xiàn)高效的電力轉換和控制�

替代型號

NDD04N50ZT3G
  NDD04N50ZT2G
  IRFP460

ndd04n50zt4g推薦供應� 更多>

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ndd04n50zt4g資料 更多>

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ndd04n50zt4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 歐姆 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds308pF @ 25V
  • 功率 - 最�61W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDD04N50ZT4G-NDNDD04N50ZT4GOSTR