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時(shí)間：2025/5/26 18:24:23
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NDD01N60是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用TO-220封裝形式。該器件具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：1.05A
柵源電壓：±20V
導(dǎo)通電阻：7.2Ω（在Vgs=10V時(shí)）
總功耗：130W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
NDD01N60具備以下特點(diǎn)：
1. 高耐壓能力，額定漏源電壓為600V，能夠適應(yīng)高壓工作環(huán)境。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效減少功率損耗，提升效率。
3. 快速開關(guān)性能，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 較小的輸入和輸出電容，有助于降低開關(guān)損耗。
5. TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝，易于安裝并提供良好的散熱性能。
6. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在較寬溫度范圍內(nèi)正常工作。
這款MOSFET廣泛用于各種功率電子設(shè)備中，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)或同步整流元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制開關(guān)。
4. 各類負(fù)載切換及保護(hù)電路。
5. 太陽能逆變器等新能源系統(tǒng)中的功率管理模塊。
NDS9962,
NTR4H100N60L,
FQA10N60C
