NDC3105LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高功率密度�(chǎng)�。這款器件采用增強(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET) �(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,適合于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(wú)線充電等�(yīng)用�
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,NDC3105LT1G 在高頻和高壓�(huán)境下表現(xiàn)出更�(yōu)異的性能,同�(shí)能夠顯著減少系統(tǒng)功耗和體積�
漏源�(dǎo)通電�(Rds(on))�40 mΩ
額定電壓(Vds)�100 V
額定電流(Id)�12 A
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5 V � 3 V
最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LLP-8
NDC3105LT1G 的核心優(yōu)�(shì)在于其出色的電氣特性和可靠�。首�,它擁有超低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 40 毫歐�,可大幅降低傳導(dǎo)損��
其次,其�(kāi)�(guān)速度極快,具備低柵極電荷(Qg) 和輸出電�(Qoss),使得開(kāi)�(guān)損耗顯著降�。在高頻操作�,這種特性可以有效提高效率并縮小�(wú)源元件尺��
此外,該器件支持高達(dá) 100V 的工作電�,同�(shí)能夠在寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于惡劣�(huán)境條件下的工�(yè)及汽車應(yīng)��
最�,其 LLP-8 封裝提供了卓越的熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),有助于�(jìn)一步優(yōu)� PCB 布局和散熱管理�
NDC3105LT1G 廣泛用于需要高效能和小型化的電力電子領(lǐng)�。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):特別是在圖騰柱 PFC 等拓?fù)渲校闷涞蛽p耗特性實(shí)�(xiàn)更高效率�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適合筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源模塊等�(lǐng)�,提供更快的�(dòng)�(tài)響應(yīng)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):由于其高頻能力,可用于高性能�(wú)刷直流電�(jī)控制�
4. �(wú)線充電設(shè)備:為消�(fèi)電子�(chǎn)品提供更高效的無(wú)線能量傳輸解決方��
5. 快速充電器:憑借其快速開(kāi)�(guān)能力,可滿足�(xiàn)代便攜式�(shè)備對(duì)高功率密度的需��
NDS3105LT1G
NDC3106LT1G