ND412G-2-T1是一款高性能的二極管陣列芯片,主要用于電源保�(hù)和信號整流電�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有高耐壓、低漏電流和快速響�(yīng)的特�(diǎn)。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)�,確保系�(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量�(zhuǎn)換�
這款芯片在設(shè)�(jì)上注重了小型化和集成�,使其能夠適�(yīng)�(xiàn)代電子產(chǎn)品對空間和性能的嚴(yán)格要�。同�(shí),其�(yōu)異的熱特性和可靠性也使得它成為許多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇�
類型:二極管陣列
封裝形式:SOT-23
最大反向電壓:40V
正向電壓�1.2V
最大正向電流:2A
反向恢復(fù)�(shí)間:50ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
存儲溫度范圍�-65� � +175�
ND412G-2-T1的主要特性包括高擊穿電壓能力,能夠在瞬態(tài)條件下提供可靠的保護(hù)功能。此�,其超低的漏電流(典型值小�1nA)保證了靜態(tài)功耗的最小化,這對于電池供電設(shè)備尤為重要。芯片內(nèi)部優(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)提供了出色的反向恢復(fù)特�,減少了開關(guān)損耗并提升了整體效��
另外,ND412G-2-T1具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能輸出。這得益于其精心設(shè)�(jì)的散熱路徑和材料選擇。最后,該產(chǎn)品符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
ND412G-2-T1適用于多種場景下的電路保�(hù)與信號處�,例如移動設(shè)備中的電池充電保�(hù)、汽車電子系�(tǒng)中的過壓防護(hù)、通信基站中的電源管理模塊�。它還可以用作高速數(shù)�(jù)傳輸線路中的箝位二極�,防止因電感�(fù)載引起的尖峰電壓損壞后續(xù)電路元件�
除此之外,在太陽能逆變�、電�(jī)�(qū)動器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合�,ND412G-2-T1同樣展現(xiàn)了卓越的表現(xiàn)�
ND412G-1-T1
ND412F-2-T1