NCT5571D-2 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的�(yīng)用場景中。該器件采用先�(jìn)的工藝制造,具有出色的開�(guān)特性和低功耗特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路��
其主要設(shè)�(jì)目標(biāo)是為高頻率開�(guān)�(yīng)用提供卓越的性能表現(xiàn),并能夠在較高的電流條件下保持較低的�(dǎo)通損��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源電壓 (Vds)�60 V
柵極源極電壓 (Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�34 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�3.5 mΩ
柵極電荷 (Qg)�49 nC
輸入電容 (Ciss)�1880 pF
總功� (Ptot)�16 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NCT5571D-2 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流下可顯著減少傳�(dǎo)損��
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. 低柵極電� (Qg),有助于提高系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同時具備良好的散熱性能�
這款 MOSFET 可用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動和逆變器控制電路中的功率級元件�
3. 筆記本電�、平板設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 高效 LED �(qū)動器中的�(guān)鍵功率器��
NCT5571D-2G, NTD5571N, FDMT5571