NCP600SN180T1G 是由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的一款高� MOSFET �(qū)�(dòng)器芯�,主要用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它能夠�(qū)�(dòng) N 溝道功率 MOSFET � IGBT,并提供快速開�(guān)和高效率的性能。該器件具有�(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力,適用于各種高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
這款�(qū)�(dòng)器芯片設(shè)�(jì)為簡(jiǎn)化大電流開關(guān)的應(yīng)�,同�(shí)具備短路保護(hù)和低功耗特�。其采用 SOIC-8 封裝形式,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):NCP600SN180T1G
封裝:SOIC-8
工作電壓范圍�15V � 20V
峰值輸出源電流�1.8A
峰值輸出灌電流�1.8A
傳播延遲�40ns
上升�(shí)間:10ns
下降�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
隔離電壓:支持高�(dá) 30V � VDS
NCP600SN180T1G 提供了強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力和快速的開關(guān)速度,確保在高頻�(yīng)用中的高效表�(xiàn)�
該器件具備以下特�(diǎn)�
1. 高達(dá) ±1.8A 的峰值輸出電�,可以驅(qū)�(dòng)大容� MOSFET � IGBT�
2. 極低的傳播延遲(40ns),有助于提高系�(tǒng)響應(yīng)速度�
3. 快速的上升和下降時(shí)間(均為 10ns�,減少開�(guān)損耗并�(yōu)化效率;
4. �(nèi)置短路保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣�-40°C � +125°C�,適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)��
6. 小型 SOIC-8 封裝,便� PCB 布局�(shè)�(jì)�
NCP600SN180T1G 主要�(yīng)用于需要高性能功率開關(guān)的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. LED 照明�(qū)�(dòng)電路,提供高效的功率控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,用于無(wú)刷直流電�(jī)和其他類型的電機(jī)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�,例如變頻器和逆變器;
5. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和車載充電��
6. 其他需要大電流 MOSFET � IGBT �(qū)�(dòng)的場(chǎng)合�
NCP600SN180T1G-A, NCP600SN180T1G-B