NCP5181DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高端負(fù)載開�(guān)芯片,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。該芯片通過集成的P溝道MOSFET�(shí)�(xiàn)高效的電源管理功�,可顯著降低靜態(tài)電流損耗,并提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)和精確的�(dǎo)通控�。其緊湊型設(shè)�(jì)和高性能特性使其非常適合需要低功�、小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片主要用作電源路徑管理中的�(fù)載開�(guān),能夠在系統(tǒng)啟動(dòng)或關(guān)斷時(shí)有效控制電流流向,避免浪涌電流對(duì)電路造成的損�。此�,它還支持過流保�(hù)、短路保�(hù)等多種安全機(jī)�,確保系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
封裝:SOIC-8
工作電壓范圍�1.6V � 5.5V
持續(xù)電流�3A
靜態(tài)電流�1μA(典型值)
�(dǎo)通電阻:40mΩ(最大值,在Vgs=4.5V條件下)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
保護(hù)功能:過流保�(hù)、短路保�(hù)、過溫保�(hù)
1. 高效的負(fù)載開�(guān)�(shè)�(jì),適用于低功耗應(yīng)用�
2. �(nèi)置P溝道MOSFET,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
3. 極低的靜�(tài)電流消耗,有助于延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的使用壽命�
4. 快速的開啟/�(guān)閉時(shí)�,能夠有效抑制浪涌電��
5. 提供全面的保�(hù)功能,包括過流保�(hù)、短路保�(hù)和過溫保�(hù),以提高系統(tǒng)的可靠性和安全性�
6. 小型化的SOIC-8封裝,節(jié)省PCB空間�
7. 寬泛的工作電壓范�,適�(yīng)多種輸入電源需��
8. �(wěn)定的性能表現(xiàn)和高精度的導(dǎo)通控制能��
1. 智能手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
2. USB接口和充電端口的電源路徑管理�
3. 可穿戴設(shè)備和其他電池供電�(chǎn)品中的節(jié)能設(shè)�(jì)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的輔助電源切��
5. 多路電源系統(tǒng)的優(yōu)先級(jí)控制�
6. �(shù)碼相�(jī)、藍(lán)牙設(shè)備以及其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源管理方案�
NCP5181DG2G, NCP5181DTR2G