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NCP5181DR2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 11:32:08 查看 閱讀�17

NCP5181DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高端負(fù)載開�(guān)芯片,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。該芯片通過集成的P溝道MOSFET�(shí)�(xiàn)高效的電源管理功�,可顯著降低靜態(tài)電流損耗,并提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)和精確的�(dǎo)通控�。其緊湊型設(shè)�(jì)和高性能特性使其非常適合需要低功�、小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款芯片主要用作電源路徑管理中的�(fù)載開�(guān),能夠在系統(tǒng)啟動(dòng)或關(guān)斷時(shí)有效控制電流流向,避免浪涌電流對(duì)電路造成的損�。此�,它還支持過流保�(hù)、短路保�(hù)等多種安全機(jī)�,確保系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

封裝:SOIC-8
  工作電壓范圍�1.6V � 5.5V
  持續(xù)電流�3A
  靜態(tài)電流�1μA(典型值)
  �(dǎo)通電阻:40mΩ(最大值,在Vgs=4.5V條件下)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  保護(hù)功能:過流保�(hù)、短路保�(hù)、過溫保�(hù)

特�

1. 高效的負(fù)載開�(guān)�(shè)�(jì),適用于低功耗應(yīng)用�
  2. �(nèi)置P溝道MOSFET,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 極低的靜�(tài)電流消耗,有助于延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的使用壽命�
  4. 快速的開啟/�(guān)閉時(shí)�,能夠有效抑制浪涌電��
  5. 提供全面的保�(hù)功能,包括過流保�(hù)、短路保�(hù)和過溫保�(hù),以提高系統(tǒng)的可靠性和安全性�
  6. 小型化的SOIC-8封裝,節(jié)省PCB空間�
  7. 寬泛的工作電壓范�,適�(yīng)多種輸入電源需��
  8. �(wěn)定的性能表現(xiàn)和高精度的導(dǎo)通控制能��

�(yīng)�

1. 智能手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
  2. USB接口和充電端口的電源路徑管理�
  3. 可穿戴設(shè)備和其他電池供電�(chǎn)品中的節(jié)能設(shè)�(jì)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的輔助電源切��
  5. 多路電源系統(tǒng)的優(yōu)先級(jí)控制�
  6. �(shù)碼相�(jī)、藍(lán)牙設(shè)備以及其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源管理方案�

替代型號(hào)

NCP5181DG2G, NCP5181DTR2G

ncp5181dr2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ncp5181dr2g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ncp5181dr2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - 外部開關(guān)
  • 系列-
  • 配置半橋
  • 輸入類型非反�
  • 延遲�(shí)�100ns
  • 電流 - �1.4A
  • 配置�(shù)1
  • 輸出�(shù)2
  • 高端電壓 - 最大(自引�(dǎo)啟動(dòng)�600V
  • 電源電壓10 V ~ 20 V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NCP5181DR2G-NDNCP5181DR2GOSTR