NCE60H10F是一款高性能的MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)效率并減少功率損��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)�,其�(yōu)化設(shè)�(jì)使其在高電流和高電壓�(huán)境下表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的抗靜電能力(ESD保護(hù)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�35nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=18ns,toff=25ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高整體能��
2. 高速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用,如DC-DC�(zhuǎn)換器和開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS��
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
4. �(nèi)置防靜電保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的魯棒��
5. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,便于設(shè)�(jì)集成�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
7. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15U60A
IXFK10N60T2