NCE30H12K 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
這款功率 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)特性和出色的熱性能,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),NCE30H12K 具備良好的短路耐受能力和抗靜電能力(ESD�,非常適合要求高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品�
最大漏源電壓:30V
最大漏極電流:12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
柵極閾值電壓:1.5V~4.0V
工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
封裝形式:TO-220
NCE30H12K 提供了多種卓越的性能特點(diǎn),使其成為高頻高效應(yīng)用的理想選擇�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以顯著減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)特性,支持高達(dá) 1MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
3. �(nèi)置反向二極管�(shè)�(jì),降低了�(xù)流時(shí)的能量損��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,有助于改善�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中的可靠性�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)��
6. 在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的電氣性能,適用于惡劣的工作條��
NCE30H12K 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 各種�(lèi)型的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)控制�
3. LED �(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)組件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)�(kāi)�(guān)�
5. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電平轉(zhuǎn)換器等一般用途的功率管理電路�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸模��
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP5510