NCE30H10G是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具備低導通電阻和快速開�(guān)特性,適用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電以及其他需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
該型號屬于寬禁帶半導體產(chǎn)品系列,能夠顯著提高系統(tǒng)的功率密度并降低能量損��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:10mΩ
柵極電荷�50nC
開關(guān)速度�>2MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
NCE30H10G具有非常低的導通電阻(Rds(on)�,這使得其在高電流�(yīng)用場景下的功耗更�。同時,由于采用了GaN材料,它支持更高的開�(guān)頻率,從而減小了外部無源元件的尺�,進一步提升了整體解決方案的空間利用率�
此外,這款器件還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下保持性能一致�。它的零反向恢復(fù)電荷特性消除了傳統(tǒng)硅基MOSFET中的反向恢復(fù)損耗問題,非常適合硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲�(jié)�(gòu)�
NCE30H10G廣泛�(yīng)用于各種高效率電力電子系�(tǒng)�,例如服�(wù)器電�、通信基站電源、電動車車載充電器(OBC�、太陽能微型逆變器以及USB-PD快充適配器等�
其高頻特性也使其成為無線充電�(fā)射端的理想選�,尤其是在需要小型化�(shè)計和高功率傳�?shù)那闆r�。另外,在數(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備領(lǐng)�,該器件有助于實�(xiàn)更高功率密度的AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換模��
NCE30H15G
NCE40H10G
GAN063-650WSA