NCE15P25JK 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN HEMT 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于電源管理、無線充�、D類音頻放大器以及其他高頻功率�(zhuǎn)換場(chǎng)景�
這款功率晶體管在�(shè)�(jì)上注重提高效率和減小系統(tǒng)尺寸,同�(shí)具備高耐壓能力以滿足多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需��
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�38nC
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
封裝形式:TO-247
NCE15P25JK 的主要特性包括:高擊穿電壓確保了其在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�;超低導(dǎo)通電阻有效減少了傳導(dǎo)損�,從而提升了整體效率;快速開�(guān)性能降低了開�(guān)損耗并支持高頻操作,這對(duì)于小型化�(shè)�(jì)至關(guān)重要;內(nèi)置的 ESD 保護(hù)提高了器件的可靠性;此外,其采用� TO-247 封裝形式易于集成到現(xiàn)有的 PCB �(shè)�(jì)��
由于 GaN 技�(shù)本身的優(yōu)�(shì),這款晶體管在高頻工作條件下表�(xiàn)出卓越的熱性能和電氣性能,非常適合對(duì)效率和尺寸有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��
NCE15P25JK 廣泛�(yīng)用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC(功率因�(shù)校正�、無線充電發(fā)射器、D類音頻放大器、激光驅(qū)�(dòng)器以及各種工�(yè)電源解決方案�。其出色的開�(guān)特性和低損耗特�(diǎn)使其成為替代傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選�,在需要高效率和高功率密度的場(chǎng)合尤為適��
NCE12P25JK, NCE15P30JK, GS66508T