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NBSG86AMNHTBG 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 13:17:37 查看 閱讀�26

NBSG86AMNHTBG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率開關器�,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用。該器件具有極低的導通電阻和快速的開關速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度并降低能量損��
  該芯片采用了先進的封裝技術,具備出色的熱性能和電氣性能,適合需要高功率密度和高效能的應用場��

參數(shù)

型號:NBSG86AMNHTBG
  類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
  額定電壓�650V
  額定電流�80A
  導通電阻:4.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�7nC(典型值)
  最大工作溫度:175°C
  封裝形式:PQFN 8x8mm

特�

1. 極低的導通電�,僅�4.5mΩ,可以有效減少導通損��
  2. 快速的開關速度,柵極電荷僅�7nC,有助于降低開關損��
  3. 額定電壓�650V,適用于寬范圍的輸入電壓應用場景�
  4. 內置�(yōu)化的ESD保護功能,提高了產品的可靠��
  5. 先進的封裝設計提供了良好的散熱性能,支持更高功率的應用�
  6. 支持高頻開關操作,適合高效率功率轉換需求�

應用

1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 服務器和通信設備中的電源模塊
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動汽車充電裝置
  6. 工業(yè)電機驅動及控�
  7. 高頻諧振轉換�

替代型號

NBSG85T065SMD, EPC2052, GaN Systems GS66508T

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nbsg86amnhtbg參數(shù)

  • 標準包裝100
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭邏輯 - 柵極和逆變� - 多功�,可配置
  • 系列-
  • 邏輯類型可配置多功能
  • 電路�(shù)2
  • 輸入�(shù)2
  • 施密特觸�(fā)器輸�
  • 輸出類型差分
  • 輸出電流�,低-
  • 電源電壓2.375 V ~ 3.465 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼16-VFQFN 裸露焊盤
  • 供應商設備封�16-QFN�3x3�
  • 包裝帶卷 (TR)