NBSG86AMNHTBG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率開關器�,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用。該器件具有極低的導通電阻和快速的開關速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度并降低能量損��
該芯片采用了先進的封裝技術,具備出色的熱性能和電氣性能,適合需要高功率密度和高效能的應用場��
型號:NBSG86AMNHTBG
類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
額定電壓�650V
額定電流�80A
導通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�7nC(典型值)
最大工作溫度:175°C
封裝形式:PQFN 8x8mm
1. 極低的導通電�,僅�4.5mΩ,可以有效減少導通損��
2. 快速的開關速度,柵極電荷僅�7nC,有助于降低開關損��
3. 額定電壓�650V,適用于寬范圍的輸入電壓應用場景�
4. 內置�(yōu)化的ESD保護功能,提高了產品的可靠��
5. 先進的封裝設計提供了良好的散熱性能,支持更高功率的應用�
6. 支持高頻開關操作,適合高效率功率轉換需求�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 服務器和通信設備中的電源模塊
4. 太陽能逆變�
5. 電動汽車充電裝置
6. 工業(yè)電機驅動及控�
7. 高頻諧振轉換�
NBSG85T065SMD, EPC2052, GaN Systems GS66508T