NB679GD-Z 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,適用于高頻和高功率密度的應(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)� GaN 工藝制�,具備低�(dǎo)壓特�,適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、充電器以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換的電子�(shè)��
與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,NB679GD-Z 提供了更低的寄生電容和更高的工作頻率,從而可以顯著減小無源元件的尺寸并提高整體系�(tǒng)的效��
類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:100mΩ(典型�,@ Vgs=6V�
柵極閾值電壓:1.5V � 3.5V
開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 5MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
NB679GD-Z 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高效功率�(zhuǎn)換:得益于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,NB679GD-Z 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率�
2. 小尺寸設(shè)�(jì):由于支持更高開�(guān)頻率,使� NB679GD-Z 的電路可以采用更小的磁性元件和濾波電容�
3. 熱性能�(yōu)異:該器件能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定工�,適用于高功率密度場��
4. �(qiáng)魯棒性:�(nèi)置過流保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)在異常情況下的可靠��
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平輸入,簡化了控制電路的設(shè)�(jì)�
NB679GD-Z 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. USB-PD 充電�
4. 無線充電�(fā)射端
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
6. LED �(qū)�(dòng)�
7. 可再生能源逆變器(如太陽能微型逆變器)
NB679GD-A, NB679GD-B