N55PA01A是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電子�(shè)備中的功率管理模塊�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型NMOS晶體�,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻、高效場景下的表�(xiàn),廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�49nC
總電容:1760pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
N55PA01A具備低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功耗并提升效率。同�(shí),其高開�(guān)速度和較小的柵極電荷使得它非常適合高頻應(yīng)用。此�,該芯片還具有良好的熱穩(wěn)定性和魯棒性,在極端溫度條件下依然可以保持可靠的性能�
這款MOSFET采用小型化的封裝技�(shù),有助于降低整體系統(tǒng)體積,并且支持表面貼裝技�(shù)(SMT),提升了生�(chǎn)自動(dòng)化水平和焊接可靠��
由于其出色的電氣特性和�(jī)械結(jié)�(gòu),N55PA01A成為需要高效能、高可靠性的電路�(shè)�(jì)的理想選��
N55PA01A主要�(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、交�-直流適配器、筆記本電腦充電�、LED�(qū)�(dòng)�、不間斷電源(UPS)、電�(jī)控制單元以及各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。它還被廣泛使用于工�(yè)�(jí)�(shè)備,例如可編程邏輯控制器(PLC)和伺服�(qū)�(dòng)器等場景,以提供�(wěn)定的功率輸出和精�(zhǔn)的控制功能�
N55PA02A
N56PA01A
IRF540N