MURA215T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高壓 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用 TO-220 封裝形式。該器件適用于需要高電壓耐受和高效開關(guān)的場景,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等電路設(shè)計中。
MOSFET 的工作原理是通過柵極電壓控制漏極和源極之間的導(dǎo)通狀態(tài)。MURA215T3G 以其優(yōu)異的電氣特性和穩(wěn)定性著稱,能夠滿足多種工業(yè)應(yīng)用的需求。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:7.8A
柵極閾值電壓:4V
導(dǎo)通電阻:0.65Ω
功耗:10W
結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
MURA215T3G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合在高壓環(huán)境下運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗,提升效率。
3. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠工作。
5. 抗雪崩能力強(qiáng),能承受一定的過載條件。
6. 采用標(biāo)準(zhǔn) TO-220 封裝,便于安裝和散熱設(shè)計。
MURA215T3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 電機(jī)驅(qū)動控制
3. 逆變器模塊
4. UPS 不間斷電源
5. LED 驅(qū)動器
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制
7. 電池充電管理系統(tǒng)
其高壓和高效性能使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。
MURS215T3G, MUR215T3, STP20NF55