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MUN5312DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 12:46:41 查看 閱讀�16

MUN5312DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,適用于高�、高功率密度的應(yīng)用場�。該器件采用了先�(jìn)� GaN 工藝,具備卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,廣泛用于電源�(zhuǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(qū)動等�(lǐng)域�
  該型號屬� Wolfspeed 公司旗下的增�(qiáng)� GaN FET 系列�(chǎn)�,其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,便于在 PCB 板上集成和散熱管理�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:DFN8 封裝

特�

MUN5312DW1T1G 的主要特�(diǎn)是高效率和高功率密度�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,顯著減少了傳導(dǎo)損�,從而提高了系統(tǒng)效率�
  2. 超快的開�(guān)速度,支持高�(dá) 5MHz 的開�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)更緊湊并減少磁性元件的體積�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��
  4. 高溫操作能力,能夠在高達(dá) 150°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 采用 DFN8 封裝,提供良好的熱性能和電氣連接,同�(shí)減小了寄生電感的影響�

�(yīng)�

MUN5312DW1T1G 適用于多種高性能�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 圖形卡供電模塊和服務(wù)器電源單元�
  3. 無線充電器及電動汽車充電��
  4. 高頻逆變器與電機(jī)�(qū)動控��
  5. 快速充電適配器和其他便攜式電子�(shè)備的高效電源解決方案�

替代型號

MUN5312DQ1T1G, MUN5312DS1T1G

mun5312dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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mun5312dw1t1g資料 更多>

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mun5312dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 �(gè) NPN�1 �(gè) PNP - �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)60 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5312DW1T1G-NDMUN5312DW1T1GOSTR