MUN5311DW1 是一款高性能� N 治金場效應晶體管(N-MOSFET�,專為開關和功率管理應用設計。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于高效率電源轉換、電機驅動和其他功率電子設備�
該型號的封裝形式通常� TO-263 � DPAK 封裝,使其能夠適應各種空間受限的應用場景,同時具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�31A
導通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�29nC
開關時間:典型� 13ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
MUN5311DW1 的主要特點是其極低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 2.8mΩ,從而減少了導通損耗,提高了整體系�(tǒng)效率�
此外,它的柵極電荷較�,有助于實現(xiàn)快速開關,減少開關損��
這款 MOSFET 還具備出色的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然可以保持可靠的性能�
由于采用� TO-263/DPAK 封裝,它不僅便于安裝,還提供了優(yōu)秀的散熱路徑,適合高功率密度的設計需��
MUN5311DW1 廣泛應用于需要高效功率轉換的場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器
2. DC-DC 轉換器的核心功率級元�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�
5. 汽車電子中的大電流控制模�
MUN5312GW1
MUN5311DW2
IRLR7843
FDP5570