MUN5211DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,適用于高頻�、高效率的電力轉換應�。該器件采用先進的 GaN 工藝制造,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提升電源系�(tǒng)的性能和能效。其封裝形式為符合行�(yè)標準的表面貼裝封�,便于集成到�(xiàn)代電子設計中�
這款晶體管特別適合于高頻 AC-DC � DC-DC 轉換器、適配器、充電器以及工業(yè)電源等應用場��
類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�8 A
導通電阻(典型值)�75 mΩ
柵極電荷�30 nC
反向恢復電荷:無(因 GaN 技術無體二極管�
工作結溫范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
MUN5211DW1T1G 具有以下顯著特性:
1. 低導通電阻和低柵極電�,能夠實�(xiàn)高效率的開關操作�
2. 基于氮化鎵技術,具備更快的開關速度和更高的工作頻率,減少磁性元件的體積和重量�
3. 無反向恢復損�,因為該器件沒有傳統(tǒng)� MOSFET 的體二極��
4. 高耐壓能力�600V�,使其能夠在高壓應用場景下可靠運��
5. 小型化封裝設計,支持高密度電路布局�
6. 提供�(yōu)異的熱性能,有助于降低系統(tǒng)散熱需��
MUN5211DW1T1G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中� PFC(功率因�(shù)校正)級和主變換��
2. 快速充電器� USB-PD 適配�,以支持更高功率密度的設��
3. �(shù)據中心和服務器電源模�,用于提高整體效��
4. 電動工具和家用電器中的高效驅動電路�
5. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)中的高頻 DC-DC 轉換�
6. 汽車電子設備中的輔助電源單元�
MUN5211GW1T1G, MUN5211PW1T1G