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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > MUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 14:38:31 查看 閱讀�29

MUN5211DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,適用于高頻�、高效率的電力轉換應�。該器件采用先進的 GaN 工藝制造,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提升電源系�(tǒng)的性能和能效。其封裝形式為符合行�(yè)標準的表面貼裝封�,便于集成到�(xiàn)代電子設計中�
  這款晶體管特別適合于高頻 AC-DC � DC-DC 轉換器、適配器、充電器以及工業(yè)電源等應用場��

參數(shù)

類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
  最大漏源電壓:600 V
  最大連續(xù)漏極電流�8 A
  導通電阻(典型值)�75 mΩ
  柵極電荷�30 nC
  反向恢復電荷:無(因 GaN 技術無體二極管�
  工作結溫范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

MUN5211DW1T1G 具有以下顯著特性:
  1. 低導通電阻和低柵極電�,能夠實�(xiàn)高效率的開關操作�
  2. 基于氮化鎵技術,具備更快的開關速度和更高的工作頻率,減少磁性元件的體積和重量�
  3. 無反向恢復損�,因為該器件沒有傳統(tǒng)� MOSFET 的體二極��
  4. 高耐壓能力�600V�,使其能夠在高壓應用場景下可靠運��
  5. 小型化封裝設計,支持高密度電路布局�
  6. 提供�(yōu)異的熱性能,有助于降低系統(tǒng)散熱需��

應用

MUN5211DW1T1G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中� PFC(功率因�(shù)校正)級和主變換��
  2. 快速充電器� USB-PD 適配�,以支持更高功率密度的設��
  3. �(shù)據中心和服務器電源模�,用于提高整體效��
  4. 電動工具和家用電器中的高效驅動電路�
  5. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)中的高頻 DC-DC 轉換�
  6. 汽車電子設備中的輔助電源單元�

替代型號

MUN5211GW1T1G, MUN5211PW1T1G

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mun5211dw1t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � NPN 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5211DW1T1GOSTR