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MUN5111DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:39:42 查看 閱讀�24

MUN5111DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,屬于英飛� CoolGaN 系列。該器件采用常閉型增強模� GaN 晶體管設計,具備出色的開關性能和低導通電阻特�,適用于高頻、高效率的電源轉換應�。其封裝形式� WSON8 封裝,支持緊湊型設計并優(yōu)化了散熱性能�
  該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)電源、數據中心供電以及汽車電子等領域�

參數

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�120mA
  導通電阻:300mΩ
  柵極閾值電壓:1.7V~3.5V
  輸入電容�940pF
  開關速度:高�10MHz
  工作溫度范圍�-55℃~+150�

特�

MUN5111DW1T1G 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵技術,提供更低的導通電阻和更高的開關頻��
  2. 增強模式設計確保器件在正常操作條件下默認關閉,提升安全��
  3. 支持高頻開關,適合各� DC-DC 轉換器拓撲結�,例� LLC 諧振、反激式等�
  4. 內置 ESD 保護功能以提高可靠��
  5. 小型化的 WSON8 封裝節(jié)� PCB 空間,同時優(yōu)化熱傳導路徑�
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��

應用

這款 GaN 功率晶體管適用于多種高性能應用場景,例如:
  1. USB-PD 充電器和其他便攜式設備快速充電解決方案�
  2. 數據中心和服務器中的高效 AC-DC � DC-DC 電源轉換�
  3. LED 驅動器及適配器設計�
  4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)內的高頻電源模塊�
  5. 汽車電子領域中的車載充電器和 DC-DC 轉換器�

替代型號

MUN5111GW1T1G
  MUN5112DW1T1G

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mun5111dw1t1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � PNP 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5111DW1T1G-NDMUN5111DW1T1GOSTR