MUN5111DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,屬于英飛� CoolGaN 系列。該器件采用常閉型增強模� GaN 晶體管設計,具備出色的開關性能和低導通電阻特�,適用于高頻、高效率的電源轉換應�。其封裝形式� WSON8 封裝,支持緊湊型設計并優(yōu)化了散熱性能�
該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)電源、數據中心供電以及汽車電子等領域�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�120mA
導通電阻:300mΩ
柵極閾值電壓:1.7V~3.5V
輸入電容�940pF
開關速度:高�10MHz
工作溫度范圍�-55℃~+150�
MUN5111DW1T1G 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技術,提供更低的導通電阻和更高的開關頻��
2. 增強模式設計確保器件在正常操作條件下默認關閉,提升安全��
3. 支持高頻開關,適合各� DC-DC 轉換器拓撲結�,例� LLC 諧振、反激式等�
4. 內置 ESD 保護功能以提高可靠��
5. 小型化的 WSON8 封裝節(jié)� PCB 空間,同時優(yōu)化熱傳導路徑�
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
這款 GaN 功率晶體管適用于多種高性能應用場景,例如:
1. USB-PD 充電器和其他便攜式設備快速充電解決方案�
2. 數據中心和服務器中的高效 AC-DC � DC-DC 電源轉換�
3. LED 驅動器及適配器設計�
4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)內的高頻電源模塊�
5. 汽車電子領域中的車載充電器和 DC-DC 轉換器�
MUN5111GW1T1G
MUN5112DW1T1G