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MUN2214T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:38:58 查看 閱讀�32

MUN2214T1G 是一� N 沃特公司(Nexperia)生�(chǎn)的高壓、高� MOSFET 開關(guān)器件,采� Trench 技�(shù)制�。該器件適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其封裝形式� SOT223,具有出色的散熱性能,適合于功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
  該器件屬于邏輯電� MOSFET,能夠以較低的柵極驅(qū)動電壓實�(xiàn)高效的導(dǎo)�,從而在便攜式設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中得到了廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:8.9A
  最大脈沖漏電流�35A
  柵源電壓:�20V
  柵極電荷�18nC
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  開關(guān)時間:ton=18ns,toff=14ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

MUN2214T1G 具有以下主要特性:
  1. 高效的開�(guān)性能,導(dǎo)通電阻低,可顯著降低功率損��
  2. 采用先�(jìn)� Trench MOSFET 技�(shù),提高了單位面積�(nèi)的電流承載能��
  3. 支持邏輯電平�(qū)�,適合電池供電或低電壓系�(tǒng)�
  4. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  5. 封裝形式� SOT223,提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
  6. 工作溫度范圍寬廣,適用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�

�(yīng)�

MUN2214T1G 的典型應(yīng)用場景包括:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
  2. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
  5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的電源管理模塊�
  6. 工業(yè)控制和汽車電子中的開�(guān)�(yīng)��
  7. LED �(qū)動器和其他需要功率開�(guān)的場合�

替代型號

MUN2214T1R, PSMN2R8-60YLC, IRFZ44N

mun2214t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mun2214t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mun2214t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�230mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-59
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN2214T1GOSMUN2214T1GOS-NDMUN2214T1GOSTR