MTD6N10T4G 時(shí)間：2025/5/27 18:59:06 閱讀：10

MTD6N10T4G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的增強(qiáng)型功率晶體管，適用于高頻和高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
　　作為一款常關(guān)型（enhancement-mode）晶體管，MTD6N10T4G 在設(shè)計(jì)上能夠支持高達(dá) 100V 的漏源電壓，并且具備極低的導(dǎo)通電阻，從而有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　最大連續(xù)漏極電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
　　柵極電荷：40nC
　　輸入電容：1200pF
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-247-3

特性

MTD6N10T4G 擁有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 基于增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和效率。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻 (3.5mΩ)，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高功率密度。
　　3. 高速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用，例如硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洹?br>　　4. 支持寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 +175°C)，增強(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠性。
　　5. 提供 TO-247-3 封裝，便于散熱管理與安裝。
　　6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了器件的魯棒性。
　　這些特性使得 MTD6N10T4G 成為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇，尤其在需要緊湊設(shè)計(jì)和高性能表現(xiàn)的場(chǎng)景中。

應(yīng)用

MTD6N10T4G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. AC-DC 適配器和充電器。
　　3. 圖形卡供電模塊 (VRM)。
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
　　5. 可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換。
　　6. 通信電源和服務(wù)器電源供應(yīng)。
　　由于其高頻特性和低損耗表現(xiàn)，這款器件非常適合要求高效率和高功率密度的設(shè)計(jì)。