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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > MTB75N05HDT4

MTB75N05HDT4 發(fā)布時間 時間�2025/6/7 14:20:42 查看 閱讀�2

MTB75N05HDT4是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等領域。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合中等功率的應用場景�

參數

最大漏源電壓:50V
  最大柵源電壓:±20V
  最大連續(xù)漏極電流�75A
  導通電阻:1.8mΩ
  總功耗:160W
  結溫范圍�-55� to +150�

特�

MTB75N05HDT4采用了先進的制造工�,確保了其具備較低的導通電�,從而降低了傳導損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  此外,它還具有較高的雪崩擊穿能量(EAS)能力,增強了器件在異常情況下的可靠性�
  該器件的開關速度較快,能夠有效減少開關損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定�,使其能夠在較寬的溫度范圍內可靠運行�
  同時,其大電流承載能力也使得它非常適合用于需要高電流輸出的應用場��

應用

該MOSFET適用于多種電力電子領域,例如工業(yè)設備中的開關電源設計、太陽能逆變器中的功率轉換模�、電動車窗或座椅調節(jié)等汽車電子系�(tǒng)的電機驅動控�,以及各類負載切換電��
  由于其出色的電氣性能和散熱性能,這款器件也可以被用作高效能DC-DC轉換器的核心組件之一�

替代型號

IRFZ44N
  STP75NF06L
  FDP55N06L

mtb75n05hdt4推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mtb75n05hdt4參數

  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MTB75N05HDT4OS