MTB75N05HDT4是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等領域。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合中等功率的應用場景�
最大漏源電壓:50V
最大柵源電壓:±20V
最大連續(xù)漏極電流�75A
導通電阻:1.8mΩ
總功耗:160W
結溫范圍�-55� to +150�
MTB75N05HDT4采用了先進的制造工�,確保了其具備較低的導通電�,從而降低了傳導損耗并提高了系�(tǒng)效率�
此外,它還具有較高的雪崩擊穿能量(EAS)能力,增強了器件在異常情況下的可靠性�
該器件的開關速度較快,能夠有效減少開關損耗,并且具備良好的熱�(wěn)定�,使其能夠在較寬的溫度范圍內可靠運行�
同時,其大電流承載能力也使得它非常適合用于需要高電流輸出的應用場��
該MOSFET適用于多種電力電子領域,例如工業(yè)設備中的開關電源設計、太陽能逆變器中的功率轉換模�、電動車窗或座椅調節(jié)等汽車電子系�(tǒng)的電機驅動控�,以及各類負載切換電��
由于其出色的電氣性能和散熱性能,這款器件也可以被用作高效能DC-DC轉換器的核心組件之一�
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP55N06L