MTB50P03HDLT4G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制程工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特性,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場��
這款芯片屬于 P 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠承受較高的電壓,并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其封裝形式通常為小型化�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��
型號(hào):MTB50P03HDLT4G
類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�50V
最大柵源電�(VGS):�12V
連續(xù)漏極電流(ID)�-3A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�35mΩ(典型值,VGS=-4.5V�(shí)�
總功�(Ptot)�1.2W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+150°C
封裝形式:TO-263(PLCC-8)
1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間并簡化布局�
5. 具備良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長期工作�
6. 可靠性高,適用于工業(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用領(lǐng)域�
7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗干擾能��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載開�(guān)�
4. 照明系統(tǒng)中的�(diào)光控制開�(guān)�
5. 各種電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開關(guān)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸�
7. 汽車電子中的�(fù)載切換和電源管理�
IRF5305PBF, FDP5800, STP55NF06LT