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MTB50P03HDLT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:33:17 查看 閱讀�34

MTB50P03HDLT4G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制程工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特性,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場��
  這款芯片屬于 P 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠承受較高的電壓,并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其封裝形式通常為小型化�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��

參數(shù)

型號(hào):MTB50P03HDLT4G
  類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�50V
  最大柵源電�(VGS):�12V
  連續(xù)漏極電流(ID)�-3A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�35mΩ(典型值,VGS=-4.5V�(shí)�
  總功�(Ptot)�1.2W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-263(PLCC-8)

特�

1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間并簡化布局�
  5. 具備良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長期工作�
  6. 可靠性高,適用于工業(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用領(lǐng)域�
  7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗干擾能��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的同步整流��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 照明系統(tǒng)中的�(diào)光控制開�(guān)�
  5. 各種電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開關(guān)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸�
  7. 汽車電子中的�(fù)載切換和電源管理�

替代型號(hào)

IRF5305PBF, FDP5800, STP55NF06LT

mtb50p03hdlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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mtb50p03hdlt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 25A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs100nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MTB50P03HDLT4GOSMTB50P03HDLT4GOS-NDMTB50P03HDLT4GOSTR