MTB09P03J3 是一款高性能的功� MOSFET,屬于溝槽式�(chǎng)效應(yīng)晶體管系�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,非常適合用于各種高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其主要特點(diǎn)是低柵極電荷、低�(dǎo)通電阻以及出色的熱性能。廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理模塊以及其他需要高效開(kāi)�(guān)操作的場(chǎng)��
該型�(hào)� MTB09P03J3 屬于 P 溝道 MOSFET 類型,具有優(yōu)化的靜態(tài)和動(dòng)�(tài)特�,能夠在高頻工作條件下實(shí)�(xiàn)較低的能量損耗�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�-9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
柵極電荷�1.6nC
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:TO-263
MTB09P03J3 的設(shè)�(jì)使其具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),確保在大電流下具有更低的功��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能得益于其低柵極電荷設(shè)�(jì)�
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,可適應(yīng)苛刻的工作環(huán)��
4. 緊湊的封裝形�,有助于�(jiǎn)� PCB 布局�(shè)�(jì)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特性使 MTB09P03J3 成為許多工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
2. 便攜式設(shè)備的�(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. LED �(qū)�(dòng)器和其他照明控制�(yīng)��
5. 各種降壓或升壓轉(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
由于其卓越的性能和可靠性,MTB09P03J3 在汽車電�、通信�(shè)備及家用電器等領(lǐng)域也得到了廣泛應(yīng)��
MTB07P03J3, MTB10P03J3, FDP078N03L