容量：64Mbit
　　組織方式：512K x 128
　　核心電壓：1.71V~1.98V
　　接口電壓：1.62V~1.98V
　　工作溫度范圍：-40°C ~ +85°C
　　封裝類型：TQFP
　　數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間：10ns
　　引腳數(shù)：100
　　最大功耗：3W

MT55X106K101EGE的主要特性包括：
　　1. 高速數(shù)據(jù)訪問(wèn)能力，支持10ns的存取時(shí)間。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)，適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 支持寬電壓范圍，增強(qiáng)了其在不同環(huán)境下的兼容性。
　　4. 工業(yè)級(jí)溫度范圍，保證了在極端條件下的穩(wěn)定性。
　　5. 具備自刷新功能，減少外部控制電路的復(fù)雜性。
　　6. 提供全面的錯(cuò)誤檢測(cè)機(jī)制，如奇偶校驗(yàn)選項(xiàng)，以確保數(shù)據(jù)完整性。
　　7. 封裝形式緊湊，易于集成到空間受限的設(shè)計(jì)中。

這款SRAM廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，例如路由器、交換機(jī)和網(wǎng)關(guān)中的緩存。
　　2. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)，用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理和控制任務(wù)。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，如打印機(jī)緩沖區(qū)和圖像處理。
　　4. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)暫存，例如超聲波成像設(shè)備。
　　5. 游戲機(jī)和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速數(shù)據(jù)交換。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)，特別是在需要快速響應(yīng)的場(chǎng)景中。

MT55L106K101AGE, MT55F106K101AGL