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MT53E1G16D1ZW-046+AAT:C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 9:12:56 查看 閱讀�12

MT53E1G16D1ZW-046 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DDR4 ECC �(nèi)存顆�。該芯片主要用于服務(wù)�、工作站以及其他需要高可靠性和�(shù)�(jù)完整性的�(yīng)用環(huán)�。DDR4 ECC 技�(shù)通過糾錯碼功能有效減少了�(shù)�(jù)傳輸中的錯誤,提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性�
  這款芯片采用 FBGA 封裝形式,具有低功耗和高性能的特�(diǎn),適合對�(nèi)存性能要求較高的場��

參數(shù)

類型:DDR4 ECC
  容量�1Gb (128Mb x 8)
  電壓�1.2V
  速度�2666MT/s
  封裝:FBGA
  I/O配置:x8
  工作溫度�-40°C � +85°C
  引腳�(shù)�78-ball

特�

MT53E1G16D1ZW-046 支持 DDR4 �(biāo)�(zhǔn)的多�(xiàng)先�(jìn)特性,包括更高的帶�、更低的功耗以及更�(qiáng)的可靠��
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá) 2666MT/s 的數(shù)�(jù)速率,顯著提升系�(tǒng)性能�
  2. ECC 功能:具備單比特錯誤糾正和多比特錯誤檢測能力,確保數(shù)�(jù)傳輸?shù)�?zhǔn)確��
  3. 低功耗設(shè)�(jì):運(yùn)行電壓為 1.2V,相比前� DDR3 芯片�(jìn)一步降低了能��
  4. �(wěn)定性:適用于長�(shí)間運(yùn)行且�(fù)載較重的�(yīng)用場景,如服�(wù)器和�(shù)�(jù)中心�
  5. 小型化封裝:采用 78-ball FBGA 封裝,便于在緊湊型設(shè)備中集成�
  該芯片特別適合需要高密度存儲和高性能�(jì)算的場合,例如企�(yè)級服�(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)��

�(yīng)�

MT53E1G16D1ZW-046 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 企業(yè)級服�(wù)器和工作站:
   - 提供高可靠性和大容量的�(nèi)存支��
  2. �(shù)�(jù)中心�
   - 滿足大規(guī)模數(shù)�(jù)處理和云�(jì)算的需��
  3. 工業(yè)�(jì)算機(jī)�
   - 在惡劣環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 嵌入式系�(tǒng)�
   - 如高端網(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)等需要高性能�(nèi)存的�(shè)��
  � ECC 功能和高帶寬使其成為這些�(lǐng)域的理想選擇�

替代型號

MT53E1G16D1ZA-046
  MT53E1G16D1ZC-046
  MT53E1G16D1ZE-046