MT47H64M16HR-25E 是由 Micron(鎂光)生產(chǎn)的一� DDR3 SDRAM 芯片,屬于高性能存儲(chǔ)器系�。該芯片主要用于需要高帶寬和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�,廣泛適用于�(jì)算機(jī)、服�(wù)�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和其他嵌入式系�(tǒng)��
其設(shè)�(jì)符合 JEDEC DDR3 �(biāo)�(zhǔn),支持更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的功耗模�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)�(nèi)存性能的需��
容量�4Gb
組織�64Mb x 16
核心電壓(Vcc)�1.35V
I/O電壓(Vccq)�1.35V
速度�1600Mbps
封裝類型:FBGA
引腳�(shù)�96
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
刷新周期�64ms
MT47H64M16HR-25E 提供了卓越的性能表現(xiàn)和可靠�,主要特性如下:
1. 支持 DDR3L 的低電壓�(yùn)行(1.35V�,有助于降低整體系統(tǒng)的功��
2. 最大傳輸速率�(dá)� 1600Mbps,提供更快的�(shù)�(jù)處理能力�
3. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自刷新功能,確保數(shù)�(jù)完整性并減少控制器負(fù)�(dān)�
4. 支持多種省電模式,例如深度電源降�(jí) (DPD) 和動(dòng)�(tài)�(shí)鐘停� (DCS),以�(jìn)一步優(yōu)化功��
5. 高密度存�(chǔ)解決方案使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�
6. 寬泛的工作溫度范圍使該芯片能夠在各種�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
MT47H64M16HR-25E 適用于多種需要高性能存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(tái)式電腦和筆記本電腦的主內(nèi)存擴(kuò)展�
2. 工業(yè)控制�(shè)備中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,如路由器和交換機(jī)的緩存存�(chǔ)�
4. 嵌入式系�(tǒng)中的圖像和信�(hào)處理任務(wù)�
5. �(yī)療成像設(shè)備和科學(xué)儀器等�(duì)速度和可靠性要求較高的�(chǎng)��
MT47H64M16HR-25:H, MT47H64M16JR-25:E, MT47H64M16JR-25:H