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MT46V64M8FN-6:D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 14:50:02 查看 閱讀�25

MT46V64M8FN-6:D 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DDR SDRAM 芯片。該芯片主要用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)電子�(shè)備和其他需要高效內(nèi)存性能的應(yīng)用中。其高容量和低延遲特性使得它成為許多�(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇�
  MT46V64M8 系列是基于先�(jìn)的制造工�,具有高性能、低功耗的特點(diǎn),適用于多種存儲(chǔ)解決方案�

參數(shù)

類型:DDR SDRAM
  容量�64Mb�8M x 8位)
  工作電壓�1.8V
  速度等級(jí):CL=2
  封裝形式:FBGA
  引腳�(shù)�48 Pin
  �(shù)�(jù)寬度�8�
  �(shí)鐘頻率:最高支� 133MHz
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  接口�(biāo)�(zhǔn):JEDEC �(biāo)�(zhǔn)兼容

特�

MT46V64M8FN-6:D 提供了高效的�(nèi)存訪問能�,具有以下顯著特�(diǎn)�
  1. 支持突發(fā)�(zhǎng)度為 2 � 4 的操作模�,能夠根�(jù)具體需求�(jìn)行靈活配置�
  2. 具備自動(dòng)刷新和自刷新功能,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)的復(fù)雜度�
  3. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),確保數(shù)�(jù)與命令的精確同步�
  4. 采用 FBGA 封裝技�(shù),提高了芯片的可靠性和散熱性能�
  5. 符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),保證與其他硬件的兼容��
  6. 支持 CAS 延遲(CL)為 2,降低延遲時(shí)�,提升整體性能�
  7. 工作電壓� 1.8V,相比傳�(tǒng)芯片�(jìn)一步降低了功��
  這些特性使 MT46V64M8FN-6:D 成為嵌入式系�(tǒng)和手持設(shè)備等�(duì)能耗敏感場(chǎng)景的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效內(nèi)存管理的�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 消費(fèi)電子�(chǎn)品,如數(shù)字電�、機(jī)頂盒和多媒體播放��
  2. 工業(yè)控制�(shè)�,例� PLC 和監(jiān)控系�(tǒng)�
  3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,例如路由�、交換機(jī)和網(wǎng)�(guān)�
  4. �(yī)療設(shè)�,如便攜式診斷儀��
  5. 汽車電子系統(tǒng),如信息娛樂系統(tǒng)和導(dǎo)航模��
  由于其高可靠性和低功耗的�(shè)�(jì),MT46V64M8FN-6:D 在對(duì)能耗和空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合表�(xiàn)尤為突出�

替代型號(hào)

MT46V64M8SG-6:H, MT46V64M8SF-6:E

mt46v64m8fn-6:d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)