MT41K256M16HA-107G:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片。該芯片主要用于移動�(shè)備和低功耗應(yīng)用中,支持更低的工作電壓以減少功耗,同時保持較高的性能表現(xiàn)�
DDR3L 的“L”代� Low Voltage,工作電壓為 1.35V,與�(biāo)�(zhǔn)� DDR3�1.5V)相比能有效降低能�,非常適合便攜式電子�(shè)備和對功耗敏感的�(yīng)用場景�
類型:SDRAM
存儲容量�2GB (256Mb x 16)
�(shù)�(jù)寬度�16�
封裝類型:FBGA 78-ball
工作電壓�1.35V
速度等級:CL=7, 1066Mbps
操作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
MT41K256M16HA-107G:E 提供了多種關(guān)鍵特性和�(yōu)勢:
1. 高速性能:該芯片支持高達 1066 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代系�(tǒng)對內(nèi)存帶寬的需求�
2. 低功耗設(shè)計:采用 1.35V 的工作電�,相比傳�(tǒng)� 1.5V DDR3 �(nèi)存進一步降低了功�,延長電池續(xù)航時��
3. 小型封裝:使� FBGA 78 球封�,尺寸緊�,適合空間受限的�(shè)計�
4. 溫度�(wěn)定性:能夠� -40°C � +85°C 的工�(yè)級溫度范圍內(nèi)可靠運行,適�(yīng)各種�(huán)境條件�
5. 強大� ECC 支持:通過糾錯碼功能提高數(shù)�(jù)完整性和系統(tǒng)可靠��
6. �(huán)保合�(guī)性:符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),無鉛制造工藝確保環(huán)保友��
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高性能和低功耗的�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 移動�(shè)備:智能手機和平板電腦中的主�(nèi)��
2. 嵌入式系�(tǒng):工�(yè)自動�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和�(yī)療設(shè)備中的內(nèi)存模��
3. 消費類電子產(chǎn)品:�(shù)碼相�、游戲機和其他多媒體�(shè)��
4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:智能家庭、可穿戴�(shè)備等需要高效內(nèi)存管理的場景�
MT41K256M16JT-107E:IT, MT41K256M16HA-125:E