MT41J256M16HA-107:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生產的 DDR3L SDRAM 芯片,廣泛應用于對內存帶寬和低功耗有較高需求的設備中。該芯片采用先進的制程工藝制�,支� DDR3L 的低電壓標準 (1.35V),具有高容量、高性能和低功耗的特點。其設計符合 JEDEC 標準,適用于筆記本電腦、平板電�、嵌入式系統(tǒng)和其他便攜式電子設備�
類型:SDRAM
接口:DDR3L
容量�256 M x 16 = 4GB
組織結構�8-bank architecture
�(shù)據寬度:x16
Vdd/Vddq�1.35V
速度等級�1066 Mbps
tCL/CAS延遲�
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度范圍�-40°C to +85°C
MT41J256M16HA-107:E 提供了出色的性能和低功耗特性,主要特點包括�
1. 支持高達 1066 Mbps 的數(shù)據傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計算和圖形處理應用的需求�
2. 采用 DDR3L 技�,運行在 1.35V 的低電壓下,相比傳統(tǒng) DDR3 � 1.5V 更節(jié)��
3. 具備 8 銀行架構,可以更高效地管理內存訪問�
4. FBGA 封裝形式,適合高密度 PCB 設計,同時提高了可靠性和散熱性能�
5. 支持突發(fā)長度� 4 � 8,提供靈活的�(shù)據傳輸模��
6. 工作溫度范圍寬泛,適應多種環(huán)境下的使用需��
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
該芯片主要用于需要大容量、高性能和低功耗存儲解決方案的場景,具體應用包括:
1. 筆記本電腦和超極本中的主內存模塊�
2. 平板電腦和其他移動設備的內部存儲擴展�
3. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)自動化控制器、醫(yī)療設備和網絡通信設備�
4. 游戲機和多媒體播放器等消費類電子產品�
5. �(shù)據中心服務器和存儲系�(tǒng)中的緩存或輔助存儲組��
MT41J256M16HA-125:E
MT41J256M16HG-107:E
MT41J256M16HH-107:E