MT35XU512ABA1G12-0AAT 是由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)的一� 3D NAND 閃存芯片。該芯片采用先�(jìn)� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),具備高密度存儲(chǔ)能力。其主要用途為嵌入式存�(chǔ)�(shè)�、固�(tài)硬盤(pán)(SSD)以及移�(dòng)�(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)。該型號(hào)支持高速接�,并具備低功耗特�,適用于�(duì)存儲(chǔ)容量和性能要求較高的應(yīng)用環(huán)境�
該芯片的封裝形式� BGA(球柵陣列封裝),具有緊湊的外形�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
容量�512Gb (64GB)
單元類型:TLC
接口:ONFI 4.0
電壓�1.8V / 3.3V
封裝:BGA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
傳輸速率:高�(dá) 400 MT/s
擦寫(xiě)壽命:約 1000 �
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò) 1 �
MT35XU512ABA1G12-0AAT 的核心優(yōu)�(shì)在于其高密度存儲(chǔ)能力和較低的成本。它采用 3D NAND 技�(shù),相比傳�(tǒng)的平� NAND,能夠在相同物理尺寸下提供更高的存儲(chǔ)容量�
此外,該芯片支持 ONFI 4.0 接口�(biāo)�(zhǔn),確保了更快的數(shù)�(jù)傳輸速度和更低的延遲。其低功耗設(shè)�(jì)也使其成為便攜式電子�(shè)備的理想選擇�
由于使用 TLC 存儲(chǔ)單元,雖然犧牲了一定的耐用�,但顯著降低了單位成本,非常適合消費(fèi)�(jí)市場(chǎng)�(yīng)��
在可靠性方�,該芯片�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流程,確保在各種環(huán)境下均能�(wěn)定運(yùn)��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制�(shè)�、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等�
2. 移動(dòng)�(shè)備:例如智能手機(jī)和平板電��
3. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD):作為主存�(chǔ)介質(zhì),提供大容量和高性能�
4. �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如行�(chē)記錄儀、監(jiān)�?cái)z像頭等需要長(zhǎng)期可靠存�(chǔ)的設(shè)��
其高容量和低功耗的特點(diǎn)使其特別適合需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行且�(duì)電池依賴較高的設(shè)備�
MT35XU512ABA1G12-0ABT, MT35XU512ABA1G12-0ACF