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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MT18N101K101CT

MT18N101K101CT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 12:56:40 查看 閱讀�4

MT18N101K101CT是一款高性能的DDR3L SDRAM�(nèi)存芯�,主要用于移�(dòng)�(shè)�、嵌入式系統(tǒng)以及其他�(duì)低功耗和高帶寬有要求的應(yīng)用場(chǎng)�。該芯片由Micron Technology(美光科技)生�(chǎn),采用先�(jìn)的制造工�,具備低功耗和高可靠性的特點(diǎn)�
  DDR3L是DDR3的低電壓版本,工作電壓為1.35V,相比標(biāo)�(zhǔn)DDR3�1.5V能夠顯著降低功�,非常適合電池供電的便攜式設(shè)�。此芯片具有出色的性能和容�,支持快速的�(shù)�(jù)傳輸速率�

參數(shù)

容量�1Gb�128Mb x 8�
  接口�(lèi)型:DDR3L
  工作電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�800Mbps~1600Mbps
  封裝形式:FBGA 78-ball
  工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
  I/O�(biāo)�(zhǔn):SSTL-15
  引腳配置�78-ball FBGA

特�

1. 低工作電�1.35V,有效降低功��
  2. 支持高達(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足高速數(shù)�(jù)處理需��
  3. 具備On-Die Termination(ODT)功�,優(yōu)化信�(hào)完整性�
  4. �(nèi)置溫度補(bǔ)償自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh,TCSR�,在不同溫度下保�?jǐn)?shù)�(jù)�(wěn)定性�
  5. 支持Partial Array Self-Refresh(PASR)模�,�(jìn)一步降低待�(jī)功��
  6. 高可靠性設(shè)�(jì),適用于�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封��

�(yīng)�

MT18N101K101CT廣泛�(yīng)用于各類(lèi)需要高效能和低功耗存�(chǔ)的領(lǐng)域:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)��
  2. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)��
  3. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)��
  4. �(shù)字電�、機(jī)頂盒及其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��
  5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備及邊緣�(jì)算平�(tái)�

替代型號(hào)

MT18N101K101BT, MT18N101K101D

mt18n101k101ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)