MT18B152J500CT 是一款由 Micron(鎂光科技)生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片,主要應(yīng)用于低功耗需求的電子設(shè)備中。DDR3L 是 DDR3 的一個(gè)低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相較于標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 能夠顯著降低功耗,因此廣泛用于移動(dòng)設(shè)備、平板電腦、筆記本電腦以及其他便攜式電子產(chǎn)品中。
該型號(hào)的 MT18B152J500CT 屬于 4Gb(512Mb x 8)容量的存儲(chǔ)芯片,采用 FBGA 封裝形式,具有高帶寬、低延遲和低功耗的特點(diǎn)。
容量:4Gb (512Mb x 8)
類(lèi)型:DDR3L SDRAM
工作電壓:1.35V
數(shù)據(jù)速率:1600Mbps
封裝形式:FBGA
引腳數(shù):78
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
I/O 標(biāo)準(zhǔn):LVDS
組織結(jié)構(gòu):8-bank architecture
MT18B152J500CT 提供了出色的性能和低功耗特點(diǎn),其關(guān)鍵特性包括:
1. 支持 DDR3L 的高速數(shù)據(jù)傳輸速率,最高可達(dá) 1600Mbps。
2. 使用 1.35V 的低工作電壓,相比傳統(tǒng) DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
3. 具備自動(dòng)刷新和自刷新功能,能夠在系統(tǒng)待機(jī)時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性,同時(shí)減少功耗。
4. 內(nèi)置 8-bank 架構(gòu),提高了內(nèi)存訪問(wèn)效率和帶寬利用率。
5. 采用 FBGA 封裝技術(shù),適合緊湊型設(shè)計(jì),適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 支持多種省電模式,例如深度電源下降模式(DPD),進(jìn)一步優(yōu)化電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
7. 高可靠性和穩(wěn)定性,能夠適應(yīng)各種工業(yè)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用需求。
MT18B152J500CT 主要應(yīng)用于需要高性能和低功耗的場(chǎng)景,典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的主內(nèi)存模塊。
2. 筆記本電腦和其他便攜式計(jì)算設(shè)備。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備,如路由器和交換機(jī)。
4. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng),要求長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行且功耗較低。
5. 數(shù)字電視、機(jī)頂盒和其他消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。
6. 醫(yī)療設(shè)備和汽車(chē)電子系統(tǒng),這些領(lǐng)域?qū)煽啃院偷凸耐瑯佑袊?yán)格要求。
MT18B1G8M8JT-16E, MT18B1G8M8JT-1G, MT18B1G8M8HT-1G