MS30N100HGC0 是一� N 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),專為高頻開關(guān)和高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的溝槽技�(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,能夠在高頻工作條件下實�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
該型號主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、逆變器以及各類需要高效開�(guān)性能的場��
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-220
00V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�30mΩ(典型值,Vgs=10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):45A
Qg(柵極電荷)�28nC(典型值)
Bvdss(漏源擊穿電壓)�100V
Vgs(th)(閾值電壓)�2.7V~4.5V
fT(截止頻率)�2.2MHz
Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C ~ 175°C
MS30N100HGC0 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻和低柵極電�,這使得其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。其先進的溝槽工藝降低� Rds(on),從而減少了傳導(dǎo)損�。同�,較小的 Qg 值也意味著更低的開關(guān)損�,這對于提高整體系�(tǒng)效率至關(guān)重要�
此外,該器件支持高達 175°C 的結(jié)�,使其能夠在嚴苛的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運�。其 TO-220 封裝易于安裝,并提供良好的散熱性能,適用于大功率應(yīng)用場��
� MOSFET 具有快速開�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性,可有效減少能量損失并延長�(shè)備壽�。其正溫度系�(shù)特性有助于多個器件并�(lián)使用時的均流表現(xiàn)�
MS30N100HGC0 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)模式電源(SMPS�、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、電機驅(qū)動電路和電動工具等領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和高頻性能使其非常適合需要高效率和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��
此外,該器件還適用于工業(yè)自動化控制、汽車電子系�(tǒng)中的負載切換以及其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
IRFZ44N, FDP55N10, STP45NF10L