時間：2025/5/22 21:43:17
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MS18U836M-D低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。該芯片采用先進的工藝制造，具有高速存取和高可靠性的特點，適用于需要快速數(shù)據(jù)讀寫的各種應(yīng)用場景。其封裝形式為符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型封裝，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對空間節(jié)省的需求。
容量：2Mb
位寬：8位/16位可選
工作電壓：1.7V 至 1.9V
工作電流：典型值 20mA
待機電流：典型值 1μA
訪問時間：5ns
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
封裝形式：BGA-48
MS18U836M-DU05C 提供了卓越的性能和穩(wěn)定性，主要特性如下：
1. 超低功耗設(shè)計，非常適合電池供電設(shè)備。
2. 高速存取時間可達 5ns，確保在高頻應(yīng)用中的高效運行。
3. 支持多種位寬配置，增強了靈活性以適配不同系統(tǒng)架構(gòu)。
4. 具備強大的抗干擾能力，能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定操作。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
6. 寬工作電壓范圍，允許靈活適應(yīng)不同的電源條件。
7. 提供全面的保護機制，包括過壓保護和靜電放電（ESD）防護。
這款 SRAM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)控制設(shè)備，如 PLC 和人機界面。
2. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，例如路由器和交換機緩存。
3. 醫(yī)療儀器，用于實時數(shù)據(jù)采集與處理。
4. 汽車電子系統(tǒng)，提供臨時數(shù)據(jù)存儲功能。
5. 嵌入式系統(tǒng)中作為高速緩沖存儲器。
6. 測試測量設(shè)備，例如示波器和信號發(fā)生器。
MS18U836M-DU05B, MS18U836M-DU05A
