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MRF6V2010NR1 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:05:52 查看 閱讀�32

MRF6V2010NR1 是一款高性能� LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 功率晶體�,主要用于射� (RF) 放大器應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有高效�、高增益和出色的線性度特點,廣泛適用于通信基站、廣播系�(tǒng)和其他需要高效功率放大的場合�
  這款晶體管的工作頻率范圍較寬,能夠在高頻�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出,同時具備良好的散熱�(shè)�,適合長時間連續(xù)工作�

參數(shù)

型號:MRF6V2010NR1
  類型:LDMOS 功率晶體�
  封裝形式:Flange 封裝
  工作電壓�28 V
  輸出功率�10 W(典型值)
  頻率范圍�50 MHz � 250 MHz
  增益�17 dB(典型值)
  效率�60%(典型值)
  最大結(jié)溫:175°C
  存儲溫度范圍�-55°C � +150°C
  輸入匹配阻抗�50 Ω
  輸出匹配阻抗�50 Ω

特�

MRF6V2010NR1 具有以下顯著特性:
  1. 高效的功率輸出能�,確保在高負(fù)載下仍能提供�(wěn)定性能�
  2. 出色的線性度,能夠有效減少信號失真,提升整體通信�(zhì)��
  3. 寬帶操作能力,支持從 50 MHz � 250 MHz 的頻率范�,適�(yīng)多種�(yīng)用場��
  4. �(nèi)置保�(hù)電路,防止因過熱或過高電壓導(dǎo)�?lián)p��
  5. 良好的散熱設(shè)計,有助于提高器件的可靠性和壽命�
  6. 易于集成到現(xiàn)� RF 放大器設(shè)計中,簡化開�(fā)流程�
  這些特點� MRF6V2010NR1 成為許多射頻放大器設(shè)計的理想選擇�

�(yīng)�

MRF6V2010NR1 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 無線通信基站,包� GSM、CDMA � LTE 系統(tǒng)中的功率放大�
  2. 廣播系統(tǒng),如 FM � AM 廣播�(fā)射機(jī)�
  3. 測試與測量設(shè)�,用于產(chǎn)生高功率射頻信號�
  4. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) �(lǐng)域的射頻能量�(yīng)��
  5. 軍事和航空電子系�(tǒng)的射頻功率放大�
  由于其高效率和寬帶性能,該晶體管非常適合需要高功率輸出和低失真的場景�

替代型號

MRF6V2010NTR1, MRF6S2010NTR1

mrf6v2010nr1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mrf6v2010nr1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶體管類�LDMOS
  • 頻率220MHz
  • 增益23.9dB
  • 電壓 - 測試50V
  • 額定電流2.5mA
  • 噪音�(shù)�(jù)-
  • 電流 - 測試30mA
  • 功率 - 輸出10W
  • 電壓 - 額定110V
  • 封裝/外殼TO-270AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-270-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MRF6V2010NR1-NDMRF6V2010NR1TR