MRELB2A0804ZMEBB00 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)計。該器件采用增強� GaN FET 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電及其它高頻�、高效率需求的場景�
這款芯片由知名半�(dǎo)體廠商制�,采用了先進的封裝工藝,以確保在高電流和高電壓條件下保持穩(wěn)定性能。其獨特的設(shè)計使其能夠在不犧牲效率的情況下實�(xiàn)更小的尺寸和更高的功率密��
類型:增強型 GaN FET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):80 mΩ
額定電壓�650 V
最大電流:20 A
封裝形式:LLP 8x8
柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
輸入電容�1350 pF
輸出電容�30 pF
反向恢復(fù)時間:無(由� GaN 的特性)
MRELB2A0804ZMEBB00 具有以下顯著特性:
1. 高效的功率傳輸能�,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗并支持更高頻率的操��
4. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了器件的魯棒��
5. 小型化的封裝�(shè)計,使產(chǎn)品更容易集成到緊湊的空間��
6. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
7. 支持零電壓開�(guān)(ZVS)拓撲結(jié)�(gòu),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)的效率與可靠��
由于采用了先進的 GaN 材料,該芯片相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有明顯的優(yōu)勢,在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
MRELB2A0804ZMEBB00 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動及伺服系統(tǒng)�
3. 電動車充電樁和車載充電器�
4. 高頻諧振變換器和 LLC 變換��
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
6. �(shù)�(jù)中心電源和電信設(shè)備電��
7. 無線充電器和其他消費類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案�
其高效的功率�(zhuǎn)換能力和快速的開關(guān)速度使得它成為眾多現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想選擇�
MRELB2A0804ZMEB00, MRELB2A0804ZMEBB10