MOT2N65D是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率控制的電路�。該器件采用TO-247封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高耐壓的特�,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場��
這種MOSFET的主要特點是其高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及良好的熱穩(wěn)定�,使其在工業(yè)和消費電子領(lǐng)域中都非常受歡迎�
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:4A
�(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:140W
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓,可達650V,適合高壓應(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗,提高效率�
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻工�,減少電磁干��
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下正常工作�
5. TO-247封裝提供�(yōu)秀的散熱性能,便于集成到大功率系�(tǒng)中�
6. �(nèi)置保護機�,如雪崩能量吸收能力,提升整體系�(tǒng)的安全��
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動和控制�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
4. 電動車充電裝置和電池管理系統(tǒng)�
5. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和PWM控制��
6. 各類家電及消費電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)模塊�
IRFP250N, STP4NS60, FQA4N65C