MMZ2012R300AT000 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率半�(dǎo)體器�,屬� MOSFET 類型。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的電力電子轉(zhuǎn)換系�(tǒng)��
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,適合自動化生產(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需求。由于其出色的性能表現(xiàn),這款 MOSFET 在電動汽車充電器、數(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)以及太陽能逆變器等�(lǐng)域備受青��
型號:MMZ2012R300AT000
類型:MOSFET
材料:氮化鎵 (GaN)
額定電壓�650V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
封裝:TO-LEADLESS
工作溫度范圍�-55� � +175�
最大開�(guān)頻率:超� 2MHz
MMZ2012R300AT000 具備卓越的電氣性能,其中最顯著的特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(30mΩ�,可有效降低功耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)能力支持高達(dá) 2MHz 的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)��
3. 小尺寸封裝(TO-LEADLESS)節(jié)省了電路板空�,同�(shí)提高了散熱性能�
4. 出色的熱�(wěn)定性允許在極端溫度條件下運(yùn)�,從而擴(kuò)展了適用場景�
5. �(nèi)置靜電防�(hù)�(jī)制以增強(qiáng)可靠性�
這些特點(diǎn)共同決定� MMZ2012R300AT000 在現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的競爭�(yōu)��
MMZ2012R300AT000 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電動汽車充電樁中的功率因�(shù)校正(PFC)和 DC-DC �(zhuǎn)��
2. �(shù)�(jù)中心及服�(wù)器電源中的高效能量管��
3. 太陽能光伏逆變器的核心組件,用于提高轉(zhuǎn)換效��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器�(shè)�(jì)�
5. 工業(yè)�(qū)動與電機(jī)控制,提供更精確的速度�(diào)節(jié)功能�
得益于其高頻操作能力和低損耗特�,此器件成為許多高性能系統(tǒng)的理想選��
MMZ2012R350AT000
MMZ2012R250AT000
STGAP26N65C3