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時(shí)間：2025/5/23 0:47:20
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MMUN5113DW 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電路以及各種需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的場景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備高可靠性與卓越的電氣性能。
其封裝形式為 TO-263（DPAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需求。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：4.8A
柵極閾值電壓：2V~4V
導(dǎo)通電阻（典型值）：7.5mΩ
總功耗：19W
工作溫度范圍：-55℃~150℃
MMUN5113DW 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，確保在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
3. 小型化的 DPAK 封裝，節(jié)省 PCB 空間且易于集成。
4. 寬工作溫度范圍，適用于多種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。
該 MOSFET 器件適用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)換器。
2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的逆變橋和斬波電路。
4. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊。
5. 其他需要高效開關(guān)和低功耗的應(yīng)用場景。
IRLML6402TRPBF, AO3400A
