MMUN2233LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-SiC 技�(shù),具備高頻、高效和高溫性能,廣泛應(yīng)用于射頻功率放大器、通信�(shè)�、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他高性能射頻�(yīng)�。其封裝形式為表面貼�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)�
該芯片具有極低的寄生電容和快速開�(guān)能力,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和帶寬,同�(shí)減小整體�(shè)�(jì)尺寸�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�4A
輸出功率:大�35dBm
增益:大�10dB
頻率范圍:DC � 6GHz
柵極電荷�10nC
�(dǎo)通電阻:0.2Ω
封裝類型:SMD
MMUN2233LT1G 的主要特�(diǎn)是高效率和寬帶性能。得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特性,這款晶體管能夠在高頻段提供穩(wěn)定的功率輸出,同�(shí)保持較低的熱耗散�
該器件支持線性及非線性操作模�,適用于多種�(fù)雜的�(diào)制信�(hào)�(huán)�。此�,它還具有優(yōu)秀的可靠性和抗輻射性能,使其成為航空航天和軍事�(lǐng)域中�(guān)鍵射頻組件的理想選擇�
GaN 技�(shù)帶來的優(yōu)�(shì)包括更高的擊穿電�、更低的�(dǎo)通電阻以及更快的開關(guān)速度,這些都讓 MMUN2233LT1G 在眾多射頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
MMUN2233LT1G 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器設(shè)�(jì),特別是在無線基�(chǔ)�(shè)施和�(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線電通信系統(tǒng)��
2. 雷達(dá)�(fā)射機(jī)模塊中的功率放大�(jí)�
3. 航空航天�(lǐng)域的�(wèi)星通信�(shè)��
4. 軍事通信系統(tǒng)中的高可靠性射頻組件�
5. �(cè)試與�(cè)量儀器中的高性能信號(hào)�(fā)生器�
MMPT2233LT1G, MMIN2233LT1G