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MMUN2233LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 10:37:54 查看 閱讀�22

MMUN2233LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-SiC 技�(shù),具備高頻、高效和高溫性能,廣泛應(yīng)用于射頻功率放大器、通信�(shè)�、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他高性能射頻�(yīng)�。其封裝形式為表面貼�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)�
  該芯片具有極低的寄生電容和快速開�(guān)能力,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和帶寬,同�(shí)減小整體�(shè)�(jì)尺寸�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�4A
  輸出功率:大�35dBm
  增益:大�10dB
  頻率范圍:DC � 6GHz
  柵極電荷�10nC
  �(dǎo)通電阻:0.2Ω
  封裝類型:SMD

特�

MMUN2233LT1G 的主要特�(diǎn)是高效率和寬帶性能。得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特性,這款晶體管能夠在高頻段提供穩(wěn)定的功率輸出,同�(shí)保持較低的熱耗散�
  該器件支持線性及非線性操作模�,適用于多種�(fù)雜的�(diào)制信�(hào)�(huán)�。此�,它還具有優(yōu)秀的可靠性和抗輻射性能,使其成為航空航天和軍事�(lǐng)域中�(guān)鍵射頻組件的理想選擇�
  GaN 技�(shù)帶來的優(yōu)�(shì)包括更高的擊穿電�、更低的�(dǎo)通電阻以及更快的開關(guān)速度,這些都讓 MMUN2233LT1G 在眾多射頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

MMUN2233LT1G 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器設(shè)�(jì),特別是在無線基�(chǔ)�(shè)施和�(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線電通信系統(tǒng)��
  2. 雷達(dá)�(fā)射機(jī)模塊中的功率放大�(jí)�
  3. 航空航天�(lǐng)域的�(wèi)星通信�(shè)��
  4. 軍事通信系統(tǒng)中的高可靠性射頻組件�
  5. �(cè)試與�(cè)量儀器中的高性能信號(hào)�(fā)生器�

替代型號(hào)

MMPT2233LT1G, MMIN2233LT1G

mmun2233lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mmun2233lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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mmun2233lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�4.7k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�246mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMUN2233LT1GOSTR