MMUN2211是一種高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它通常用于開關和功率管理應�,能夠提供低導通電阻和快速開關速度�
該器件適用于需要高效率和低功耗的設計場景。其小型封裝設計使其非常適合空間受限的應用環(huán)�,同時也能滿足對電氣性能的嚴格要求�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.5A
導通電阻:45mΩ
總柵極電荷:7nC
開關時間:典型值ton=10ns,toff=15ns
工作結溫范圍�-55℃至+150�
MMUN2211具備以下特點�
1. 極低的導通電阻,可顯著降低傳導損��
2. 快速的開關速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減少電磁干��
3. 高雪崩擊穿能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小尺寸封裝,便于在緊湊型設計中使��
5. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運��
這些特性使得MMUN2211成為各種功率轉換和電機驅動應用的理想選擇�
MMUN2211廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC轉換器�
3. 電池管理與保護電��
4. 便攜式電子設備中的負載開關�
5. 電機驅動及控��
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
由于其高效的性能和可靠�,MMUN2211特別適合于需要高能效和小尺寸解決方案的產品設計�
MMUN2208
IRLZ44N
FDP5500
AO3400