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MMUN2111LT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 12:59:37 查看 閱讀：25

MMUN2111LT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 LFPAK33 封裝（也稱為 D2PAK 封裝），適合高效率開關(guān)應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能使其在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　該 MOSFET 的設(shè)計(jì)結(jié)合了先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)卓越的電氣特性和熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：3.1A
　　導(dǎo)通電阻：5.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：9nC（典型值）
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝類型：LFPAK33 (D2PAK)

特性

MMUN2111LT1G 具有非常低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。此外，該器件的柵極電荷較小，有助于降低開關(guān)損耗，特別適合高頻工作條件。
　　該 MOSFET 的緊湊型封裝形式可以節(jié)省電路板空間，并提供出色的散熱能力，從而支持更高的功率密度。
　　其穩(wěn)健的設(shè)計(jì)還能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持可靠性，適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的多種應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

MMUN2111LT1G 廣泛應(yīng)用于各種高效能電子設(shè)備中，例如降壓轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。
　　由于其出色的開關(guān)特性和較低的功耗，它非常適合便攜式設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)控制系統(tǒng)的電源管理部分。同時(shí)，這款 MOSFET 還能滿足一些汽車電子應(yīng)用的需求，如電池管理系統(tǒng)或車載信息娛樂系統(tǒng)中的電源分配模塊。

替代型號(hào)

MTP2111LH,
　　NTMFS4C67N,
　　STP21NF06L

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mmun2111lt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）10k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）10k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大246mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMUN2111LT1GOSMMUN2111LT1GOS-NDMMUN2111LT1GOSTR