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MMBTA56WT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 22:39:50 查看 閱讀�20

MMBTA56WT1G是一款基于硅鍺(SiGe)技�(shù)的NPN高頻小信號晶體管,適用于無線通信、射頻前端模塊以及其他高頻應(yīng)�。該晶體管采用SOT-323小型封裝形式,能夠提供卓越的高頻性能和低噪聲表現(xiàn)。其主要特點(diǎn)包括高增�、寬頻率范圍以及出色的線性度,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(lǐng)��
  MMBTA56WT1G的設(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代射頻系�(tǒng)對高性能和小型化的需�,通過�(yōu)化的硅鍺工藝,使其在高頻�(huán)境下表現(xiàn)出極佳的�(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
  集電極電流:200mA
  直流電流增益(hFE):400
  特征頻率(fT):8GHz
  最大工作頻率:6GHz
  功耗:300mW
  封裝類型:SOT-323
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MMBTA56WT1G具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高頻性能:特征頻率高�(dá)8GHz,適合用于高頻放大器�(shè)�(jì)�
  2. 低噪聲系�(shù):優(yōu)化的硅鍺工藝確保了低噪聲表現(xiàn),非常適合射頻接收機(jī)前端�
  3. 小型化封裝:SOT-323封裝形式有效節(jié)省PCB空間,便于實(shí)�(xiàn)高密度設(shè)�(jì)�
  4. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作溫度范圍,適�(yīng)多種�(huán)境條��
  5. 高可靠性和�(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保在各種應(yīng)用場景下的長期可靠��

�(yīng)�

MMBTA56WT1G的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 射頻放大器:用于無線通信系統(tǒng)中的低噪聲放大器(LNA)和�(qū)動放大器�
  2. 混頻器和頻器或振蕩器的核心元��
  3. �(lán)牙和Wi-Fi模塊:在短距離無線通信�(shè)備中起到�(guān)鍵作用�
  4. 工業(yè)控制:應(yīng)用于需要高頻信號處理的各種工業(yè)場景�
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的射頻電路設(shè)�(jì)�

替代型號

MMBTA55WT1G
  MMBT3904
  BFR96

mmbta56wt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

mmbta56wt1g資料 更多>

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mmbta56wt1g�(chǎn)�

mmbta56wt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)100 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�150mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�50MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-3(SOT323�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBTA56WT1GOSMMBTA56WT1GOS-NDMMBTA56WT1GOSTR