MMBTA56WT1G是一款基于硅鍺(SiGe)技�(shù)的NPN高頻小信號晶體管,適用于無線通信、射頻前端模塊以及其他高頻應(yīng)�。該晶體管采用SOT-323小型封裝形式,能夠提供卓越的高頻性能和低噪聲表現(xiàn)。其主要特點(diǎn)包括高增�、寬頻率范圍以及出色的線性度,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(lǐng)��
MMBTA56WT1G的設(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代射頻系�(tǒng)對高性能和小型化的需�,通過�(yōu)化的硅鍺工藝,使其在高頻�(huán)境下表現(xiàn)出極佳的�(wěn)定性和可靠��
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
集電極電流:200mA
直流電流增益(hFE):400
特征頻率(fT):8GHz
最大工作頻率:6GHz
功耗:300mW
封裝類型:SOT-323
工作溫度范圍�-55� � +150�
MMBTA56WT1G具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高頻性能:特征頻率高�(dá)8GHz,適合用于高頻放大器�(shè)�(jì)�
2. 低噪聲系�(shù):優(yōu)化的硅鍺工藝確保了低噪聲表現(xiàn),非常適合射頻接收機(jī)前端�
3. 小型化封裝:SOT-323封裝形式有效節(jié)省PCB空間,便于實(shí)�(xiàn)高密度設(shè)�(jì)�
4. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作溫度范圍,適�(yīng)多種�(huán)境條��
5. 高可靠性和�(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保在各種應(yīng)用場景下的長期可靠��
MMBTA56WT1G的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 射頻放大器:用于無線通信系統(tǒng)中的低噪聲放大器(LNA)和�(qū)動放大器�
2. 混頻器和頻器或振蕩器的核心元��
3. �(lán)牙和Wi-Fi模塊:在短距離無線通信�(shè)備中起到�(guān)鍵作用�
4. 工業(yè)控制:應(yīng)用于需要高頻信號處理的各種工業(yè)場景�
5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的射頻電路設(shè)�(jì)�
MMBTA55WT1G
MMBT3904
BFR96