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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 18:39:10 查看 閱讀�6

MMBTA55LT1G是一種SOT-323封裝的小信號NPN晶體�,適用于各種低功率放大和開關應用。該晶體管具有低噪聲、高增益的特性,適合在高頻條件下工作。其小型化設計使其非常適合用于對空間要求較高的電路設計中�

參數(shù)

集電極最大電流:0.1A
  集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
  �(fā)射極-基極擊穿電壓�5V
  直流電流增益(hFE):100�400
  總功耗:125mW
  最高工作溫度:150�
  最低工作溫度:-55�

特�

MMBTA55LT1G晶體管具有優(yōu)異的高頻性能,其截止頻率高達800MHz,這使得它非常適合用于射頻電路。此外,其低噪聲特性和高電流增益保證了在信號放大部分能夠提供高質量的輸��
  由于采用了SOT-323表面貼裝封裝,這種晶體管不僅節(jié)省空�,還便于自動化生�(chǎn)裝配。同�,其小尺寸和較低的熱阻確保了在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運��
  此外,該晶體管符合RoHS標準,環(huán)保無鉛,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保要��

應用

MMBTA55LT1G廣泛應用于便攜式電子�(chǎn)�、無線通信設備、音頻放大器以及各種開關電路�。具體應用場景包括:
  - 射頻信號放大
  - 音頻信號處理
  - 開關電路中的驅動元件
  - 移動電話和其他無線設備中的信號調節(jié)
  - �(wěn)壓器電路中的輔助放大元件

替代型號

MMBT3904
  2N3904
  BC847

mmbta55lt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmbta55lt1g資料 更多>

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mmbta55lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)500mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - 轉換50MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBTA55LT1GOSMMBTA55LT1GOS-NDMMBTA55LT1GOSTR