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MMBT5550 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 19:43:20 查看 閱讀:31

MMBT5550是一種NPN型的硅雙極結(jié)晶體管,廣泛應(yīng)用于音頻放大器、射頻電路和各種通用放大及開關(guān)應(yīng)用中。該晶體管具有高增益、低噪聲的特點(diǎn),并且在高頻條件下表現(xiàn)出良好的性能。MMBT5550通常用于替代傳統(tǒng)的2N5550型號,封裝形式為TO-236-3(SOT-23),這使得它非常適合于對空間要求較高的表面貼裝設(shè)計。
  這種晶體管的制造工藝采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),確保了其在溫度變化和長期使用過程中的穩(wěn)定性。

參數(shù)

集電極-發(fā)射極電壓(Vce):40V
  集電極電流(Ic):1A
  直流電流增益(hFE):最小值80,最大值350
  功率耗散(Ptot):625mW
  過渡頻率(fT):300MHz
  工作結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至150℃

特性

MMBT5550具有以下主要特性:
  1. 高增益:直流電流增益(hFE)范圍為80到350,適合需要較高增益的應(yīng)用場景。
  2. 高頻響應(yīng):其過渡頻率達(dá)到300MHz,適用于高頻信號處理和射頻電路。
  3. 小型封裝:采用SOT-23封裝,節(jié)省空間,適合表面貼裝技術(shù)(SMT)。
  4. 穩(wěn)定性:能夠在寬泛的溫度范圍內(nèi)正常工作,適應(yīng)工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的不同需求。
  5. 可靠性:具備較高的集電極-發(fā)射極擊穿電壓(40V),并能承受較大的集電極電流(1A)。

應(yīng)用

MMBT5550晶體管常見于以下應(yīng)用場景:
  1. 音頻放大器:由于其高增益和低噪聲特性,非常適合用作音頻信號的放大元件。
  2. 射頻電路:其高頻響應(yīng)能力使其成為射頻信號處理的理想選擇。
  3. 開關(guān)電路:可用于構(gòu)建高效的開關(guān)電路,如電源管理模塊中的開關(guān)元件。
  4. 工業(yè)控制:在各種工業(yè)自動化設(shè)備中作為驅(qū)動或信號放大的核心元件。
  5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:包括家用電器、通信設(shè)備等,能夠滿足多種產(chǎn)品設(shè)計的需求。

替代型號

2N5550, BC850, KSD5550

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mmbt5550參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)600mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)140V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 5mA,50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)60 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大350mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換50MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBT5550-NDMMBT5550TR